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十足底气intel称技术三年半超前领先晶圆代工厂

2014年11月26日 上午11:16

英特尔上星期举行2014年投资人会议(Investor Meeting 2014),英特尔技能及制程工作群总经理William Holt表明,英特尔的晶体管制程技能在过去10年的三个技能代代,均领先晶圆代工厂最少3年以上时刻。

英特尔2013年5月进行14纳米制程生产,本年第1季良率进入老练安稳阶段。

William Holt在2014年投资人会议中表明,2003年以来,半导体市场阅历3次重大的技能改动,英特尔的制程均遥遥领先台积电、格罗方德、三星、IBM等晶圆代工厂。

William Holt表明,英特尔在2007年中开端导入高介电金属闸极(HKMG)技能,晶圆代工厂是2011年以后才开端跨入HKMG制程,晚了英特尔3.5年时 刻。再者,英特尔2011年末率先选用3D晶体管22纳米Tri-Gate制程,但晶圆代工厂要等到2015年中以后,才可望量产同属3D晶体管代代的鳍 式场效晶体管(FinFET)技能,也就是说,在Tri-Gate或FinFET技能上,晶圆代工厂仍落后英特尔3.5年。

英特尔也发布了14纳米晶体管尺度细节,在晶体管闸极距离(gate pitch)达70纳米、内连接距离(interconnect pitch)仅52纳米,是当前晶体管最小距离的技能。

William Holt表明,由闸极距离乘以金属距离(metal pitch)逻辑芯片尺度(logic area scaling)角度,晶圆代工厂的20纳米及16/14纳米归于同一代代制程,但英特尔14纳米的尺度更小。以制程微缩的速度,晶圆代工厂要等到 2017年进入10纳米代代后,尺度巨细才有时机赢过英特尔的14纳米。

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