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传三星西安厂明年量产3-bit V-NAND flash 月产70万片

2014年11月12日 下午12:35

三星电子(Samsung Electronics)抢救下滑业绩,全力冲刺半导体,传将力拼固态硬盘(SSD)工作。该公司拟在SSD选用3-bit V-NAND flash存储器技能,进步贮存效能,未来我国西安厂也会加入3-bit V-NAND flash芯片的量产队伍。

BusinessKorea 10日引述业界人士报道,3-bit V-NAND flash贮存效能更胜于平面(planar)NAND flash,用于SSD可进步体现、价格也更有竞争力。三星上月初已在首尔近郊的华城厂(Hwaseong)量产3-bit V-NAND flash,但是因为华城首要出产平面NAND flash, V-NAND芯片每月产值不到10万片。

为进步3-bit V-NAND flash供应量,据了解三星我国西安厂也着手预备量产,外界预期西安厂会在下一年5、6月投产。西安厂每月出产30万-40万片V-NAND芯片,产能全开时,产值可增至70万片。

当前全球仅有三星有才能量产3D V-NAND flash,外界以为三星技能领先对手两年。该公司预订下一年宣告搭载3-bit V-NAND flash的SSD。

韩联社报道,三星电子(Samsung Electronics)10月9日宣告量产业界首见的3-bit 3D存储器V-NAND flash芯片,可用于SSD硬盘,进步贮存功率。

新品每个回忆单元(cell)皆可贮存3 bit数据,之前3-bit技能仅用于平面(planar)NAND flash,现在拓宽用处,使用于3D V-NAND flash。新款3-bit 3D芯片选用第二代V-NAND技能,笔直仓库32层,结合程度比24层芯片高出30%。

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