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三星目前在生产的高容量DDR4存储模块单根可以达32GB

2014年10月22日 上午10:57

DDR4 存储器开端正式进入市场,为了投合将来高容量 DDR4 存储器需要,Samsung 开端以 20nm 制程量产 8Gb 高容量 DRAM;一起对于公司、服务器市场推出单支 32GB DDR4 registered 存储器模块(RDIMM)。

Samsung DDR4 module 02 665×396 单支能够到达 32GB,Samsung 开端量产高容量 DDR4 存储器模块

除了 32GB 模块的出产方案,因为 8Gb DRAM 提高容量密度,若调配 3D 硅通孔(TSV)技术,将来将能够出产最高单支 128GB 的存储器模块。

跟着 20nm 8Gb DRAM 的投产,Samsung 方案将其他商品制程同步转移至 20nm 进行出产,如 PC 用 4Gb DDR3 DRAM,或是低功耗 6Gb LPDDR3 存储器,将来有 20nm 版别的方案。

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