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存储器微缩14纳米为极限 3D NAND成新宠

2014年9月18日 上午10:35

存储器芯片的微缩制程面对极限,Business Korea报道,意料3D笔直仓库技能将成兵家必争之地,三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等纷繁投入研制。

Business Korea 16日报道,三星电子近来完结14.3寸纳米NAND flash的研制,将微缩制程方针改为14.2寸。2000年中期以来,NAND flash制程从40纳米一路降至16纳米,业界专家以为14纳米将是微缩制程极限,由于10纳米NAND flash技能上虽然可行,可是所需的设备出资过高,就算出产也难以获利。

微缩制程遭受瓶颈,业者因此另辟蹊径,改采3D笔直架构。报道称,其间三星电子技能最为领先,本年5月推出业界首见V-NAND技能仓库32层,高于前代的24层。有些专家预估,三星能够已经完结48层仓库的原型技能。

东芝也添加3D NAND出资,方案不久后开端出产40-70层的V NAND芯片。SK海力士也将在本年量产3D NAND。业界人士估量,NAND flash仓库层可在几年内冲上100层。

全球第2大NAND型快闪存储器(Flash Memory)厂商东芝9月9日为旗下NAND Flash出产据点「四日市工厂」第5厂房(Fab 5)的扩建工程(第2期工程)举办竣工典礼,这次竣工的新厂房已自9月开端量产选用最先端15nm制程技能的NAND Flash商品,并估计自9月底开端进行出货;东芝已于本年4月小量出产15nm NAND Flash,故上述新厂房参加出产队伍后,也宣告东芝将正式大规模量产(开端增产)15nm商品。

三星电子(Samsung Electronics Co.)5月9日宣告,我国西安存储器芯片制造厂正式启用、旗下领先NAND型快闪存储器「3D V-NAND(见图)」将在该厂投产。三星而且表明,西安封装测试厂估计在本年底以前也将会竣工。3D V-NAND将使用于固态硬盘(SSD)等花费、公司使用商品。

传统NAND把晶体管依照X、Y轴水平排放,可是减小晶体管体积有其极限,3D NAND或V-NAND参加Z轴,能够笔直排放,意味业者不只能在平面放置晶体管,还能够层层仓库,有助下降出产成本。

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