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近期DRAM、NAND市场不同调

2014年9月16日 下午2:51

存储器商场近期不同调,DRAM现货商场转趋张望,4Gb与2Gb DDR3两大干流标准现货价分别跌破4美元与2美元重要关卡,南亚科、华亚科等业者有压;贮存型快闪存储器(NAND Flash)报价则相对有撑,近期有望重启涨势,群联等后市相对看涨。

法人指出,苹果iPhone 6新机发表后,相机镜头仍停留800万素,存储器容量也与一上代一样,只搭载1G的DRAM,都令商场失望,仅有让人振奋的,是新机贮存空间大增,最大容量上看128GB,是传统机种的二至三倍,大幅拉高NAND芯片需要。

苹果新机出售,触动存储器板块移动。业者泄漏,苹果新机出售直接要挟同属高阶的三星手机出售,等于直接压榨三星选用自家DRAM去化管道,随苹果晋级NAND芯片,对首要NAND芯片供应东芝、SK海力士、美光及英特尔等,无疑是最大助力。

依据集邦旗下DRAMeXchange最新报价,干流DDR3 4Gb DRAM 现货价昨天最低价已跌破4美元,来到3.91美元,均价也跌至4.05美元,预期将跌破4美元支撑;DDR3 2Gb DRAM均价则正式跌破2美元,来到1.95美元,创下近月新低。

DRAM厂本来期望中国内地十一长假将有一波DRAM拉货潮,现在看来拉货效应将不如预期。

NAND芯片走势相对平稳,多维持平盘走势,业者达观预期,在苹果扩展搭载贮存容量的趋势股动下,近期NAND芯片报价将开端走升。

业界剖析,全球DRAM龙头三星受苹果活跃「去三星化」影响,加上三星手机出售面对苹果及内地品牌手机厂两层夹杀,市占率节节败退,三星将来一定会思考将过多的DRAM转向其他商场,并且逐渐提高当前毛利率最低的标准型DRAM、举动式存储器,甚至是利基型存储器。

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