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中芯推出自研发38纳米闪存工艺

2014年9月11日 上午10:12

中芯世界集成电路制造有限公司日前宣告38纳米NAND闪存技能制程已准备就绪,中芯世界凭此变成唯一一家可为客户出产NAND商品的代工厂。 该技能渠道彻底由中芯世界自立研制,可满意特别存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需要,使中芯世界占据该范畴的领先地位。

NAND闪存是这些年开展最为敏捷的非易失性存储(NVM)商品。38纳米NAND闪存首要面向嵌入式商品、移动核算、物联网(IoT)、电视及机顶盒 等多种大需要量的特别使用范畴。客户也可利用此技能股动串行外设接口(SPI)NAND商场的开展以及不断增长的IoT有关商品的使用。这次中芯世界成功 推出38纳米NAND闪存技能,能够协助客户满意我国及全球商场对此技能的需要。

中芯世界技能研制履行副总裁李序武博士表明,「此前中芯世界已开宣布一系列从130纳米到65纳米的特别NOR闪存渠道。通过研制团队专心及体系的尽力,咱们成功推出了38纳米NAND闪存,在技能多元化方面获得重要发展,也为后续开发更领先的2x/1x纳米及3D NAND闪存奠定了稳固的根底。咱们将继续尽力推动NAND闪存技能的开发,以满意无晶圆厂客户对高质量标准的需求。」

中芯世界首席履 行官兼履行董事邱慈云博士表明,「这一重要里程碑对中芯世界以及特别存储器客户及合作伙伴,都具有严重的战略性含义。对客户来说,中芯世界显现了其在非易 失性存储技能开发方面的决计和才能。此外,还证实中芯世界有满足的实力在精心挑选的细分商场建立领导地位。

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