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台积EUV技术 赶上英特尔

2014年9月5日 上午9:39

台积电16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)年末可望顺畅进入量产,下代代10纳米制程也正式进入研制期间,在要害的微影技能部份,台积电在极紫外光(EUV)技能的晶圆曝光速度已达每天600片,简直与英特尔同步。

由此来看,台积电领先制程研制进展非常顺畅,估计2017年进入10纳米代代后,部分光罩制程就会开端选用EUV技能。

跟着领先制程微缩到16/14纳米代代,滋润式(immersion)微影技能发展已遇到出产瓶颈,多重曝影(multi-patterning)层数愈高,愈不符合经济效益。虽然有关下代代微影技能的解决方案许多,但业界普遍看好EUV技能。

微影设备大厂艾司摩尔(ASML)上一年提出「客户联合出资项目」,就取得英特尔、台积电、三星等3多半导体厂出资。

依据ASML与半导体厂的研制进展,EUV在量产才能上也有所突破,继7月底英特尔成功使用EUV微影技能,在24小时内完结曝光逾600片晶圆以后, 业内人士泄漏,台积电也在近期成功在一天内完结600片晶圆曝光,并将EUV视为未来10纳米量产时的要害技能选项,台积电等于在10纳米EUV技能上, 顺畅赶上业界龙头英特尔。

台积电董事长张忠谋在日前法说会中表明,10纳米研制进行顺畅,不只速度比16纳米快25%,功耗上则比16 纳米削减45%,闸极密度更是16纳米的2.2倍,估计下一年下半年就会有客户完结规划定案(tapeout)。张忠谋指出,EUV技能仍在发展中,但 10纳米很有时机可以开端使用EUV完结一层曝光制程。

ASML不谈论客户EUV研制进展,但表明2014年末到达每天曝光500片晶圆的方针可望顺畅达阵。

近日ASML两个大客户对于EUV微影技能的测验成果,均到达每日曝光超越600片晶圆的好成绩,直接证实EUV机台已可用于10纳米的试产,半导体厂可望于2016年使用EUV机台来量产10纳米芯片。

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