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力积:H2乐观,38纳米1Gb DDR2&DDR3将于Q3完成

2014年6月24日 上午9:53

利基型DRAM厂力积今(23)日召开股东会,力积董事长蔡国智表明,当前接单情况不错,关于下半年展望达观。

当前力积花费性DRAM商品中规划完好,包括64MSDRAM/DDR、128MSDRAM/DDR、256MSDRAM/DDR、512MDDR1/DDR2、1G。力积估计,38纳米1GbDDR2&DDR3将于第三季完结。

力积表明,今年将活跃开发38纳米商品的开发,并与战略同伴进行商品交互授权,商品应用于NB硬盘、国内外网通厂、数字机顶盒、光驱等,而模仿及光源商品也将开发驱动IC商品。

关于今年展望,蔡国智表明,受国内外大厂陆续退出市场,供给量减少致使标准型DRAM市场价格出现平稳,力积当前接单情况不错,关于下半年展望达观。

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